IXYS Nチャンネル MOSFET75 V 500 A 表面実装 パッケージSMPD 24 ピン
- RS品番:
- 875-2471
- メーカー型番:
- MMIX1F520N075T2
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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| 10 - 12 | ￥3,516.00 |
| 13 - 15 | ￥3,195.00 |
| 16 + | ￥2,930.00 |
- RS品番:
- 875-2471
- メーカー型番:
- MMIX1F520N075T2
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
その他
詳細情報
IXYS HiperFET™ GigaMOS™シリーズ NチャンネルパワーMOSFET
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 500 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 75 V |
| パッケージタイプ | SMPD |
| シリーズ | GigaMOS, HiperFET |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 24 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 1.6 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 5V |
| 最大パワー消費 | 830 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 幅 | 23.25mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 長さ | 25.25mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 545 nC @ 10 V |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.25V |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 5.7mm |
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