Microchip Nチャンネル MOSFET9 V 330 mA 表面実装 パッケージSOT-23 5 ピン
- RS品番:
- 912-5259
- メーカー型番:
- LND01K1-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
取扱終了
- RS品番:
- 912-5259
- メーカー型番:
- LND01K1-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
その他
詳細情報
LND01 NチャンネルMOSFETトランジスタ
Microchip LND01は、低しきい値のデプレッションモード(常時オン) MOSFETトランジスタです。 この製品は、バイポーラトランジスタの対応電力量と、MOSデバイスの高入力インピーダンス及び正の温度係数を組み合わせた設計になっています。
特長
双方向
低オン抵抗
低入力静電容量
高速なスイッチング速度
高入力インピーダンス及び高ゲイン
低駆動電力要件
並列動作が簡単
低オン抵抗
低入力静電容量
高速なスイッチング速度
高入力インピーダンス及び高ゲイン
低駆動電力要件
並列動作が簡単
MOSFETトランジスタ、Microchip
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 330 mA |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 9 V |
| パッケージタイプ | SOT-23 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 5 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 1.4 Ω |
| チャンネルモード | デプレッション型 |
| 最大パワー消費 | 360 mW |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -12 V, +0.6 V |
| 幅 | 1.75mm |
| 動作温度 Max | +125 °C |
| 長さ | 3.05mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 高さ | 1.3mm |
| 動作温度 Min | -25 °C |