- RS品番:
- 916-3721P
- メーカー型番:
- 2N7008-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
- RS品番:
- 916-3721P
- メーカー型番:
- 2N7008-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
その他
詳細情報
2N7008 NチャンネルMOSFETトランジスタ
Microchip 2N7008は、強化モード(通常オフ)トランジスタで、垂直型DMOSの構造を採用しています。 この製品は、バイポーラトランジスタの対応電力容量、及びMOSデバイスの高入力インピーダンスと正の温度係数を組み合わせた設計になっています。
特長
2次降伏なし
低駆動電力要件
並列動作が簡単
低CISS及び高速なスイッチング速度
優れた熱安定性
ソース-ドレインダイオードを内蔵
高入力インピーダンス及び高ゲイン
低駆動電力要件
並列動作が簡単
低CISS及び高速なスイッチング速度
優れた熱安定性
ソース-ドレインダイオードを内蔵
高入力インピーダンス及び高ゲイン
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Microchip
仕様
特性 | |
---|---|
チャンネルタイプ | N |
最大連続ドレイン電流 | 230 mA |
最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
パッケージタイプ | TO-92 |
実装タイプ | スルーホール |
ピン数 | 3 |
最大ドレイン-ソース間抵抗 | 7.5 Ω |
チャンネルモード | エンハンスメント型 |
最大ゲートしきい値電圧 | 2.5V |
最低ゲートしきい値電圧 | 1V |
最大パワー消費 | 1 W |
トランジスタ構成 | シングル |
最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
トランジスタ素材 | Si |
幅 | 4.06mm |
長さ | 5.08mm |
動作温度 Max | +150 °C |
順方向ダイオード電圧 | 1.5V |
高さ | 5.33mm |
動作温度 Min | -55 °C |