Renesas Electronics 開発キット ハーフブリッジドライバ

このルネサス評価ボードは、 2 つの N チャンネル MOSFET の Gates ドライブにハーフブリッジ構成を使用するための HIP2211 100 V 3 A ソース、 4 A シンク高周波数ハーフブリッジドライバの評価用に設計されています。また、評価ボードにインダクタ - コンデンサ LC フィルタが搭載されているため、同期バックスイッチングレギュレータなどのハーフブリッジ駆動負荷の評価が可能です。

ハイサイド nFET のゲートドライバ用の内部レベルシフタ及びブートストラップダイオード
ハイサイドブートストラップリファレンス（最大 100 V
PWM スイッチング周波数：最大 100 kHz

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