オムロン, ソリッドステートリレー 最大負荷電流:0.4 A 最大負荷電圧:60 V 表面実装, G3VM-61H1

MOSFET出力とフォトLED入力を備えたソリッドステートリレー
メカとソリッドステート技術の利点を融合
低オン抵抗、低出力静電容量
長寿命
豊富なモデルバリエーションを用意
回線捕捉、スイッチング、フックスイッチング、回線トランス制御、その他の電話機能などの通信ソリューションに最適

G3VM-61H1 MOS FETリレーは、G3VM-S1シリーズのアップグレード製品で、メンテナンスフリーリレーに必要なさまざまなメリットを提供します。SPST-NO (常時開)、6ピン付き表面実装パッケージリレー。このシリーズのリレーは、微小信号とアナログ信号の切り替え用に設計されています。

• MOS FETソリッドステートリレー
• 表面実装リレー端子
• コンタクトフォームSPST-NO 1a (通常開)
• SOP6 (小型アウトライン)
• リレー端子 x 6
• 負荷電圧: 60 V
• 負荷電流: 最大400 mA
• 出力オン時の最大抵抗: 1 Ω
• リレーが開いているときの最大電流リーク: 1000 nA
• 端子間静電容量: 130 pF
• SSR - ターンオン時間: 最大 2 ms
• SSR - ターンオフ時間: 最大0.5 ms
• I/O 1500 Vrms間の絶縁耐性
• アナログ信号を切り替え
• 単極、単投
• RoHS対応

• 長寿命
• 低漏洩電流
• 優れた耐衝撃性を備えたSSR
• 高い絶縁性
• 静音動作
• 高速スイッチング
• マイクロアナログ信号を制御
• フォトLED入力
• 状態出力
• コンパクト
• 動作周囲温度: -20 → +65 °C (氷結及び結露しないこと)
• はんだ付け温度: 260 °C

• 計測器
• 通信機器
• 半導体テスト機器
• ブロードバンドシステム
• データロガー
• アミューズメントシステム

・本製品は材料や部材入手難のため納期が不安定になっています。