ルネサス, SRAM 4Mbit, 256 Kワード x 16ビット, 44-Pin R1LV0416DSB-5SI

データシート
その他
RoHSステータス: 該当なし
COO(原産国): JP
詳細情報

低消費電力SRAM、R1LVシリーズ、ルネサスエレクトロニクス

R1LVシリーズのアドバンスド低消費電力SRAMは、シンプルなインターフェイス、バッテリ駆動、及びバッテリバックアップが重要な設計目標となっているメモリ用途に適しています。

2.7 → 3.6 Vシングル電源
低スタンバイ電流
クロックなし、リフレッシュ不要
入力 / 出力はすべてTTL対応
スリーステート出力: OR結合対応

SRAM (スタティックランダムアクセスメモリ)

仕様
特性
メモリサイズ 4Mbit
構成 256 Kワード x 16ビット
ワード数 256K
1ワード当たりのビット数 16bit
最大ランダムアクセス時間 55ns
アドレスバス幅 18bit
ローパワー あり
タイミングタイプ 非シンクロナス
実装タイプ 表面実装
パッケージタイプ TSOP
ピン数 44
寸法 18.41 x 10.16 x 1mm
高さ 1mm
動作供給電圧 Max 3.6 V
長さ 18.41mm
動作温度 Max +85 °C
動作供給電圧 Min 2.7 V
動作温度 Min -40 °C
10.16mm
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単価: 購入単位は1個
通常価格 ¥1,423.00
1,382.00
(税抜)
1,520.20
(税込)
単価
1 - 9
¥1,382.00
10 - 49
¥1,245.00
50 +
¥1,121.00
梱包形態