- RS品番:
- 188-5323
- メーカー型番:
- CY62148ELL-45ZSXI
- メーカー/ブランド名:
- Cypress Semiconductor
取扱終了
- RS品番:
- 188-5323
- メーカー型番:
- CY62148ELL-45ZSXI
- メーカー/ブランド名:
- Cypress Semiconductor
その他
- COO(原産国):
- TW
詳細情報
非同期マイクロパワー(MoBL) SRAMメモリ、Cypress Semiconductor
MoBL低消費電力SRAMメモリデバイスは効率が高く、業界をリードするスタンバイ電力損失(最大)の仕様に適合します。
超高速: 45 ns
電圧範囲: 4.5 → 5.5 V
CY62148B とピン互換です
超低スタンバイ電力
標準待機電流: 1 μ A
最大待機電流: 7 μ A ( 産業用 )
超低アクティブ電力
標準アクティブ電流: 2.0 mA @ f = 1 MHz
CE 及び OE 機能を使用してメモリを簡単に拡張できます
選択解除時に自動的に電源がオフになります
速度と電力を最適化する相補型金属酸化膜半導体( CMOS )です
鉛フリー 32 ピン薄型小型アウトラインパッケージ( TSOP ) II 及び 32 ピン小型アウトライン統合回路( SOIC ) [1] パッケージで提供されます
電圧範囲: 4.5 → 5.5 V
CY62148B とピン互換です
超低スタンバイ電力
標準待機電流: 1 μ A
最大待機電流: 7 μ A ( 産業用 )
超低アクティブ電力
標準アクティブ電流: 2.0 mA @ f = 1 MHz
CE 及び OE 機能を使用してメモリを簡単に拡張できます
選択解除時に自動的に電源がオフになります
速度と電力を最適化する相補型金属酸化膜半導体( CMOS )です
鉛フリー 32 ピン薄型小型アウトラインパッケージ( TSOP ) II 及び 32 ピン小型アウトライン統合回路( SOIC ) [1] パッケージで提供されます
SRAM (スタティックランダムアクセスメモリ)
仕様
特性 | |
---|---|
メモリサイズ | 4Mbit |
構成 | 512 K x 8 ビット |
ワード数 | 512k |
1ワード当たりのビット数 | 8bit |
最大ランダムアクセス時間 | 45ns |
クロック周波数 | 1MHz |
ローパワー | あり |
実装タイプ | 表面実装 |
パッケージタイプ | TSOP |
ピン数 | 32 |
寸法 | 21.08 x 10.29 x 1.05mm |
動作供給電圧 Max | 5.5 V |
高さ | 1.05mm |
動作供給電圧 Min | 4.5 V |
幅 | 10.29mm |
動作温度 Min | -40 °C |
長さ | 21.08mm |
動作温度 Max | +85 °C |