- RS品番:
- 767-5963P
- メーカー型番:
- R1WV6416RBG-7SI#B0
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
- RS品番:
- 767-5963P
- メーカー型番:
- R1WV6416RBG-7SI#B0
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
その他
- COO(原産国):
- JP
詳細情報
ルネサスエレクトロニクス 低電力SRAM R1WVシリーズ
R1WVシリーズの低消費電力タティク RAM は、シンプルインターフェイス、バッテリ駆動、バッテリバックアップを行うためのメモリ用途に適しています。
2.7V~3.6V単一電源
低スタンバイ電流
外部クロックとリフレッシュ操作不要
入出力ともTTL直結可能
低スタンバイ電流
外部クロックとリフレッシュ操作不要
入出力ともTTL直結可能
SRAM (スタティックランダムアクセスメモリ)
仕様
特性 | |
---|---|
メモリサイズ | 64Mbit |
構成 | 4 M x 16ビット |
ワード数 | 4M |
1ワード当たりのビット数 | 16bit |
最大ランダムアクセス時間 | 70ns |
ローパワー | あり |
タイミングタイプ | 非シンクロナス |
実装タイプ | 表面実装 |
パッケージタイプ | FBGA |
ピン数 | 48 |
寸法 | 8.5 x 11 x 0.8mm |
動作供給電圧 Max | 3.6 V |
高さ | 0.8mm |
動作温度 Max | +85 °C |
幅 | 11mm |
動作供給電圧 Min | 2.7 V |
長さ | 8.5mm |
動作温度 Min | -40 °C |