ルネサス, SRAM 1Mbit, 128 K x 8ビット, 32-Pin R1LV0108ESN-5SI#B0
- RS品番:
- 901-5815
- メーカー型番:
- R1LV0108ESN-5SI#B0
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
取扱終了
- RS品番:
- 901-5815
- メーカー型番:
- R1LV0108ESN-5SI#B0
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
その他
詳細情報
ルネサスエレクトロニクス 低電力SRAM R1LVシリーズ
R1LVシリーズの低消費電力スタティックRAMは、シンプルなインターフェイス、バッテリ駆動、バッテリバックアップを行うためのメモリ用途に適しています。
2.7 V→3.6 V単一電源
低スタンバイ電流
外部クロックとリフレッシュ操作不要
入出力ともTTL直結可能
3ステート出力：OR接続機能
低スタンバイ電流
外部クロックとリフレッシュ操作不要
入出力ともTTL直結可能
3ステート出力：OR接続機能
SRAM (スタティックランダムアクセスメモリ)
仕様
特性 | |
|---|---|
| メモリサイズ | 1Mbit |
| 構成 | 128 K x 8ビット |
| ワード数 | 128K |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit |
| 最大ランダムアクセス時間 | 55ns |
| アドレスバス幅 | 8bit |
| クロック周波数 | 1MHz |
| ローパワー | あり |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| パッケージタイプ | SOP |
| ピン数 | 32 |
| 寸法 | 20.95 x 11.5 x 2.85mm |
| 高さ | 2.85mm |
| 動作供給電圧 Max | 3.6 V |
| 動作温度 Min | -40 °C |
| 動作温度 Max | +85 °C |
| 長さ | 20.95mm |
| 幅 | 11.5mm |
| 動作供給電圧 Min | 2.7 V |