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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流	17 A
	最大ドレイン-ソース間電圧	650 V
	パッケージタイプ	Power88
	実装タイプ	表面実装
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗	180 mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧	4.5V
	最低ゲートしきい値電圧	2.5V
	最大パワー消費	139 W
	トランジスタ構成	シングル
	最大ゲート-ソース間電圧	±30 V
	幅	8mm
	標準ゲートチャージ @ Vgs	33 nC @ 10 V
	長さ	8mm
	1チップ当たりのエレメント数	1
	動作温度 Max	+150 °C
	動作温度 Min	-55 °C
	高さ	1.05mm
	順方向ダイオード電圧	1.2V

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流 17 A
	最大ドレイン-ソース間電圧 650 V
	パッケージタイプ Power88
	実装タイプ表面実装
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗 180 mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートしきい値電圧 4.5V
	最低ゲートしきい値電圧 2.5V
	最大パワー消費 139 W
	トランジスタ構成シングル
	最大ゲート-ソース間電圧 ±30 V
	幅 8mm
	標準ゲートチャージ @ Vgs 33 nC @ 10 V
	長さ 8mm
	1チップ当たりのエレメント数 1
	動作温度 Max +150 °C
	動作温度 Min -55 °C
	高さ 1.05mm
	順方向ダイオード電圧 1.2V

COO（原産国）:: PH

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

700 V @ TJ = 150 oC
Leadless Ultra-thin SMD package
Kelvin contact
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 33 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 305 pF)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 152 mΩ
Moisture Sensitivity Level 1 guarantee
Internal Gate Resistance: 0.5 Ω
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
High power density
Low gate noise and switching loss
Low switching loss
Low switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Computing
Telecommunication
Industrial
End Products:
Telecom / Server
Adapter
LED Lighting

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

onsemi MOSFET, Nチャンネル, 17 A, 表面実装, 4 ピン, FCMT180N65S3

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