onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 17 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, FCP190N65S3

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梱包形態
RS品番:
172-4632
メーカー型番:
FCP190N65S3
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

17A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

SuperFET II

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

190mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

33nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

144W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

10.67mm

高さ

16.3mm

幅

4.7 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
SuperFET® III MOSFETは、ON Semiconductorの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ) MOSFETファミリです。電荷バランス技術により、超低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。したがって、SuperFET III MOSFETは、さまざまな電源システムの小型化及び高効率化に最適です。

700 V @ TJ = 150 °C

低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮

超低ゲート電荷量(標準Qg = 30 nC)

低スイッチング損失

低実効出力静電容量(標準Coss(実効) = 277 pF)

低スイッチング損失

静電容量を最適化

低ピークVds、低Vgs振幅

内部ゲート抵抗: 7.0 Ω

低ピークVds、低Vgs振幅

標準RDS(on) = 170 mΩ

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