onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 17 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, FCP190N65S3
- RS品番:
- 172-4632
- メーカー型番:
- FCP190N65S3
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
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| 40 - 340 | ￥343.70 | ￥3,437 |
| 350 - 490 | ￥318.10 | ￥3,181 |
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- RS品番:
- 172-4632
- メーカー型番:
- FCP190N65S3
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 17A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| シリーズ | SuperFET II | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 190mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 33nC | |
| 最大許容損失Pd | 144W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 16.3mm | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 幅 | 4.7 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 17A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
シリーズ SuperFET II | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 190mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 33nC | ||
最大許容損失Pd 144W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 16.3mm | ||
長さ 10.67mm | ||
幅 4.7 mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
SuperFET® III MOSFETは、ON Semiconductorの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ) MOSFETファミリです。電荷バランス技術により、超低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。したがって、SuperFET III MOSFETは、さまざまな電源システムの小型化及び高効率化に最適です。
SuperFET® III MOSFETは、ON Semiconductorの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ) MOSFETファミリです。電荷バランス技術により、超低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現しています。この先端技術は、導電損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を発揮し、非常に高いdv/dtレートに耐えられるようになっています。したがって、SuperFET III MOSFETは、さまざまな電源システムの小型化及び高効率化に最適です。
700 V @ TJ = 150 °C
低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮
超低ゲート電荷量(標準Qg = 30 nC)
低スイッチング損失
低実効出力静電容量(標準Coss(実効) = 277 pF)
低スイッチング損失
静電容量を最適化
低ピークVds、低Vgs振幅
内部ゲート抵抗: 7.0 Ω
低ピークVds、低Vgs振幅
標準RDS(on) = 170 mΩ
700 V @ TJ = 150 °C
低温度動作時に高いシステム信頼性を発揮
超低ゲート電荷量(標準Qg = 30 nC)
低スイッチング損失
低実効出力静電容量(標準Coss(実効) = 277 pF)
低スイッチング損失
静電容量を最適化
低ピークVds、低Vgs振幅
内部ゲート抵抗: 7.0 Ω
低ピークVds、低Vgs振幅
標準RDS(on) = 170 mΩ
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