onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 10 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPQFN
- RS品番:
- 195-2502
- メーカー型番:
- FCMT360N65S3
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 195-2502
- メーカー型番:
- FCMT360N65S3
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| シリーズ | FCMT | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 360mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 83W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 18nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 8mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 8 mm | |
| 高さ | 1.05mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 10A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
シリーズ FCMT | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 360mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 83W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 18nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 8mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 8 mm | ||
高さ 1.05mm | ||
自動車規格 なし | ||
SuperFET® III MOSFETは、ON Semiconductorの新しい高電圧スーパージャンクション(SJ) MOSFETファミリです。電荷バランス技術により、超低オン抵抗と低ゲート電荷性能を実現しています。この技術は、導電損失を最小限に抑えるように調整されており、優れたスイッチング性能、 dv/dt レート、さらに高いアバランシェエネルギーを発揮します。このため、 SUPERFET III MOSFET は、サーバー / 通信用の電源、アダプタ、ソーラーインバータなどのスイッチング電源用途に最適です。Power88 パッケージは超薄型の表面実装パッケージ(高さ 1 mm )で、低プロファイルで省スペース( 8 x 8 mm2 )を実現しています。SUPERFET III MOSFET は、 Power88 パッケージに収められており、寄生ソースインダクタンスを低く抑え、電源とドライブソースを分離することで、優れたスイッチング性能を発揮します。
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