onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 12 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPower88, FCMT250N65S3
- RS品番:
- 178-4657
- メーカー型番:
- FCMT250N65S3
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 178-4657
- メーカー型番:
- FCMT250N65S3
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 12A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | FCMT | |
| パッケージ型式 | Power88 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 250mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 24nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 90W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±30 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 8mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.05mm | |
| 幅 | 8 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 12A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ FCMT | ||
パッケージ型式 Power88 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 250mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 24nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 90W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±30 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 8mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.05mm | ||
幅 8 mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- PH
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
700 V @ TJ = 150 oC
Leadless Ultra-thin SMD package
Kelvin contact
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 24 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 248 pF)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 210 mΩ
Moisture Sensitivity Level 1 guarantee
Internal Gate Resistance: 0.5 Ω
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
High power density
Low gate noise and switching loss
Low switching loss
Low switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Computing
Telecommunication
Industrial
End Products:
Telecom / Server
Adapter
LED Lighting
700 V @ TJ = 150 oC
Leadless Ultra-thin SMD package
Kelvin contact
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 24 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 248 pF)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 210 mΩ
Moisture Sensitivity Level 1 guarantee
Internal Gate Resistance: 0.5 Ω
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
High power density
Low gate noise and switching loss
Low switching loss
Low switching loss
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Computing
Telecommunication
Industrial
End Products:
Telecom / Server
Adapter
LED Lighting
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