onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 12 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPower88, FCMT250N65S3

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梱包形態
RS品番:
178-4657
メーカー型番:
FCMT250N65S3
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

12A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

Power88

シリーズ

FCMT

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

250mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

24nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

90W

動作温度 Max

150°C

高さ

1.05mm

規格 / 承認

No

長さ

8mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
PH
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

700 V @ TJ = 150 oC

Leadless Ultra-thin SMD package

Kelvin contact

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 24 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 248 pF)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 210 mΩ

Moisture Sensitivity Level 1 guarantee

Internal Gate Resistance: 0.5 Ω

Benefits:

Higher system reliability at low temperature operation

High power density

Low gate noise and switching loss

Low switching loss

Low switching loss

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Applications:

Computing

Telecommunication

Industrial

End Products:

Telecom / Server

Adapter

LED Lighting

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