STMicroelectronics STDRIVEG600用デモンストレーションボード 開発 ボード, 開発キット, ハーフブリッジドライバ STDRIVEG600, STDRIVEG600 用, EVSTDRIVEG600DM
- RS品番:
- 230-0852
- メーカー型番:
- EVSTDRIVEG600DM
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | 開発 ボード | |
| 電源管理機能 | ハーフブリッジドライバ | |
| 併用可能製品 | STDRIVEG600 | |
| キットの分類 | 開発キット | |
| 搭載機器 | STDRIVEG600 | |
| キット名 | STDRIVEG600用デモンストレーションボード | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ 開発 ボード | ||
電源管理機能 ハーフブリッジドライバ | ||
併用可能製品 STDRIVEG600 | ||
キットの分類 開発キット | ||
搭載機器 STDRIVEG600 | ||
キット名 STDRIVEG600用デモンストレーションボード | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
STMicroelectronics の高速ハーフブリッジゲートドライバは、高電圧 N チャンネルパワー MOSFET 又は拡張モード GaN HEMT を駆動するのに使用されています。オンボードでプログラム可能なデッドタイム発生器と 3.3 V リニア電圧レギュレータにより、マイクロコントローラのような外部ロジックコントローラに給電できます。
STMicroelectronics の高速ハーフブリッジゲートドライバは、高電圧 N チャンネルパワー MOSFET 又は拡張モード GaN HEMT を駆動するのに使用されています。オンボードでプログラム可能なデッドタイム発生器と 3.3 V リニア電圧レギュレータにより、マイクロコントローラのような外部ロジックコントローラに給電できます。
高電圧バス:最大 450 V
オプションのローサイドシャント
RoHS対応
高電圧バス:最大 450 V
オプションのローサイドシャント
RoHS対応
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