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STMicroelectronics の高速ハーフブリッジゲートドライバは、高電圧 N チャンネルパワー MOSFET 又は拡張モード GaN HEMT を駆動するのに使用されています。オンボードでプログラム可能なデッドタイム発生器と 3.3 V リニア電圧レギュレータにより、マイクロコントローラのような外部ロジックコントローラに給電できます。

高電圧バス：最大 450 V
オプションのローサイドシャント
RoHS対応

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