Integral Memory RAM (ランダムアクセスメモリ）, 2 GB, 800MHz, DDR2, IN2T2GNXNFX
- RS品番:
- 180-5833
- メーカー型番:
- IN2T2GNXNFX
- メーカー/ブランド名:
- Integral Memory
取扱終了
在庫限りでお取扱いは終了致します。
- RS品番:
- 180-5833
- メーカー型番:
- IN2T2GNXNFX
- メーカー/ブランド名:
- Integral Memory
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Integral Memory | |
| デスクトップ/ラップトップ | Desktop | |
| 容量 | 2 GB | |
| スピード | 800MHz | |
| メモリクラス | DDR2 | |
| メモリソケット | DIMM | |
| モジュールタイプ | PC2-6400 | |
| ピン | 240 | |
| 電圧 | 1.8V | |
| CASレイテンシ | 6 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Integral Memory | ||
デスクトップ/ラップトップ Desktop | ||
容量 2 GB | ||
スピード 800MHz | ||
メモリクラス DDR2 | ||
メモリソケット DIMM | ||
モジュールタイプ PC2-6400 | ||
ピン 240 | ||
電圧 1.8V | ||
CASレイテンシ 6 | ||
- COO（原産国）:
- TW
内蔵メモリ DDR2 RAM
Integral Memory DDR2 は、 DIMM メモリソケットを搭載した 2 GB RAM です。メモリのアップグレードは、パフォーマンスを向上させる最もコスト効率の高い方法の 1 つです。また、オペレーティングシステムとアプリケーションの動作を Fasterこのメモリモジュールは、高品質コンポーネントで構築されており、信頼性と互換性を確保するために完全にテストされています。外部からの損傷を防ぐため、帯電防止パッケージで提供されます。
特長と利点
• 256M ビットの深さ
• CAS 遅延時間 6.
•バッテリー持続時間を延長
•ピン数 240
•速度は 800 MHz
•必要な電圧は 1.8V です
• CAS 遅延時間 6.
•バッテリー持続時間を延長
•ピン数 240
•速度は 800 MHz
•必要な電圧は 1.8V です
用途
•デスクトップ
• ゲーム
•画像編集
• ゲーム
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