- RS品番:
- 187-9335
- メーカー型番:
- M3U0-4GSSNLQE
- メーカー/ブランド名:
- InnoDisk
- RS品番:
- 187-9335
- メーカー型番:
- M3U0-4GSSNLQE
- メーカー/ブランド名:
- InnoDisk
データシート
その他
- COO(原産国):
- TW
詳細情報
Innodisk 産業用グレード DDR3L VLP (超低プロファイル) DIMM です。 InnoDisk
Innodisk の産業用グレード DDR3 DIMM は、加熱と換気のための容量が限られているオフィス環境での使用に最適です。このシリーズは、産業用 / 組み込みコンピュータ向けに特別に設計 / 開発された高品質のメモリモジュールを備えており、長期的な展開で製品の品質が重要となる場所で、オートメーションとシステムビルドが行われます。
Innodisk の DRAM モジュールは、さまざまなシステムのニーズに合わせて分類されており、 DDR4 、 DDR3 、 DDR2 、 DDR 、 SDRAM に対応しています。 当社の DRAM モジュールは、組み込み、サーバー、幅広い温度範囲で利用できます。
Innodisk の産業用グレード DDR3 DIMM は、加熱と換気のための容量が限られているオフィス環境での使用に最適です。このシリーズは、産業用 / 組み込みコンピュータ向けに特別に設計 / 開発された高品質のメモリモジュールを備えており、長期的な展開で製品の品質が重要となる場所で、オートメーションとシステムビルドが行われます。
Innodisk の DRAM モジュールは、さまざまなシステムのニーズに合わせて分類されており、 DDR4 、 DDR3 、 DDR2 、 DDR 、 SDRAM に対応しています。 当社の DRAM モジュールは、組み込み、サーバー、幅広い温度範囲で利用できます。
IC 構成: 512Mx8 (ランク 1 | サイド 1 )。
クロック速度は 1866MHz ですが、 1600MHz 、 1333MHz 、 1066MHz 、 800MHz までクロックダウンします
動作電圧: 1.35 V 又は 1.5 V
1U システム専用の超低プロファイル
基板高: 0.738 インチ
Samsung のオリジナル IC を使用してのみ製造されています
安定性とパフォーマンスのために最適化
制御 BoM 。
クロック速度は 1866MHz ですが、 1600MHz 、 1333MHz 、 1066MHz 、 800MHz までクロックダウンします
動作電圧: 1.35 V 又は 1.5 V
1U システム専用の超低プロファイル
基板高: 0.738 インチ
Samsung のオリジナル IC を使用してのみ製造されています
安定性とパフォーマンスのために最適化
制御 BoM 。
仕様
特性 | |
---|---|
デスクトップ/ラップトップ | Desktop |
容量 | 4 GB |
スピード | 1866MHz |
産業用 | あり |
メモリクラス | DDR3L |
メモリソケット | DIMM |
ピン | 240 |
電圧 | 1.35V |
CASレイテンシ | 13 |