MOSFET

パワーMOSFETは他のパワートランジスタであるバイポーラトランジスタやIGBTと比較するとスイッチング速度が速くまた低電圧における変換効率が高いという特性を持っています。そのため高速な動作や、ローパワーで低損失を必要とする製品に多く利用されています。

パワーMOSFETは3つの電極から構成されそれぞれ「ゲート」、「ソース」、「ドレイン」と呼ばれている。前述したようにスイッチング速度が速く比較的低い電圧領域ではオン抵抗が低いためスイッチング電源やAC/DCコンバータ、DC/DCコンバータなどに幅広く使われています。

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商品の概要 価格(最低価格は商品詳細ページでご確認ください) チャンネルタイプ 最大連続ドレイン電流 最大ドレイン-ソース間電圧 パッケージタイプ 最大ドレイン-ソース間抵抗 実装タイプ ピン数 最大ゲート-ソース間電圧 チャンネルモード 最大ゲートしきい値電圧 最低ゲートしきい値電圧 最大パワー消費 トランジスタ構成 1チップ当たりのエレメント数
RS品番 124-1310
メーカー型番2N7000TA
メーカーON Semiconductor
¥8.036
2000 個
N 200 mA 60 V TO-92 5 Ω スルーホール 3 -30 V, +30 V エンハンスメント型 - 0.3V 400 mW シングル 1
RS品番 671-4733
メーカー型番2N7000
メーカーON Semiconductor
¥29.10
購入単位は20個
N 200 mA 60 V TO-92 5 Ω スルーホール 3 -20 V, +20 V エンハンスメント型 - 0.8V 400 mW シングル 1
RS品番 169-8553
メーカー型番2N7000
メーカーON Semiconductor
¥9.383
10000 個
N 200 mA 60 V TO-92 5 Ω スルーホール 3 -20 V, +20 V エンハンスメント型 - 0.8V 400 mW シングル 1
RS品番 739-0224
メーカー型番2N7000TA
メーカーON Semiconductor
¥30.50
購入単位は10個
N 200 mA 60 V TO-92 5 Ω スルーホール 3 -30 V, +30 V エンハンスメント型 - 0.3V 400 mW シングル 1