BALF-NRG-02D3 STMicroelectronics 50 Ω チップバラン 表面実装 2.5 GHz

このバランは、STのプロセスによって、1枚のガラス基板上に高品質のRF受動部品が集積されています。平衡 / 不平衡変換に加えて、1 mm²未満の占有面積で完全に機能する整合回路を集積することもできます。占有面積1.2 mm²のSTの最新のバラン、BALF-NRG-02D3は、STのBlueNRG-1及び新しいBlueNRG-2のトランシーバ用に最適化されており、RFの複雑さを解消し、リンクバジェットを最適化します。

このバランは、STのプロセスによって、1枚のガラス基板上に高品質のRF受動部品が集積されています。平衡 / 不平衡変換に加えて、1 mm²未満の占有面積で完全に機能する整合回路を集積することもできます。占有面積1.2 mm²のSTの最新のバラン、BALF-NRG-02D3は、STのBlueNRG-1及び新しいBlueNRG-2のトランシーバ用に最適化されており、RFの複雑さを解消し、リンクバジェットを最適化します。

このデバイスは、整合回路と高調波フィルタを集積した超小型バランです。整合インピーダンスは、BlueNRG STトランシーバ用にカスタマイズされています。BALF-NRG-02D3は、STMicroelectronicsのIPD技術を利用して非導電性ガラス基板上に構築され、RF性能を最適化しています。

このデバイスは、整合回路と高調波フィルタを集積した超小型バランです。整合インピーダンスは、BlueNRG STトランシーバ用にカスタマイズされています。BALF-NRG-02D3は、STMicroelectronicsのIPD技術を利用して非導電性ガラス基板上に構築され、RF性能を最適化しています。

BlueNRGデバイスへの公称入力 / 共役整合: 50 Ω

BlueNRGデバイスへの公称入力 / 共役整合: 50 Ω

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