Ruland フレキシブルカップリング, ディスク, 外径:25.4mm, 長さ:34.9mm

Vishayの高効率IGBTモジュールは、PT、NPT、トレンチIGBTの各テクノロジから選べます。 製品にはシングルスイッチ、インバータ、チョッパ、ハーフブリッジ、カスタム構成品などがあります。 スイッチモード電源、無停電電源、溶接、モータドライブ、力率補正システムなどのメインスイッチングデバイスでの使用を念頭に設計されています。

主な用途には、ブースト / バックコンバータ、フォワード / ダブルフォワードコンバータ、ハーフブリッジ、フルブリッジ(Hブリッジ)、3相ブリッジなどがあります。

幅広い業界標準パッケージスタイル
ヒートシンクに直接取り付け
PT、NPT、トレンチIGBTテクノロジを選択可能
低VCE(on) IGBT
スイッチング周波数: 1 kHz → 150 kHz
堅実な過渡特性
高絶縁電圧: 最大3500 V
100 %鉛(Pb)フリー、RoHS対応
低熱抵抗
広い動作温度範囲(-40 → +175 °C)

Ruland D-Boreダブルディスクカップリングは軽量で慣性が小さく、10,000 RPMまでの用途に適しています。D-Boreは、カップリングがスリップしない用途でポジティブドライブを可能にします。ダブルディスク設計は、2つの陽極酸化アルミニウムハブ、2組の薄型ステンレス製皿ばね、および各ディスクが個別に曲がり、あらゆるタイプのミスアライメントに対応できる中央スペーサーで構成されています。

バランス設計
RoHS3およびREACH準拠
金具はメートルで、DIN 912 12.9規格を超えるテストを実施
ゼロバックラッシュとバランス設計により、高速回転時の振動を低減
北米工場から独占的に調達したソリッドバーストックを機械加工

IGBTモジュール、Vishay

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ又はIGBTは、3端子電源半導体デバイスで、高効率と高速スイッチングを実現しています。 IGBTは、制御入力用の絶縁ゲートFETとともに、バイポーラ電源トランジスタをスイッチとして1つのデバイスに統合することで、MOSFETのシンプルなゲート駆動特性とバイポーラトランジスタの高電流 / 低飽和電圧機能を組み合わせています。