ルネサス エレクトロニクス, パラレルEEPROM 1Mbit
- RS品番:
- 124-3670
- メーカー型番:
- R1EV5801MBTDRDI#B0
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
取扱終了
- RS品番:
- 124-3670
- メーカー型番:
- R1EV5801MBTDRDI#B0
- メーカー/ブランド名:
- Renesas Electronics
その他
- COO（原産国）:
- JP
詳細情報
ルネサス パラレルEEPROM
パラレルアクセスEEPROM
EEPROM (E²PROM)メモリは、ブロック単位で書き込みと消去を行う必要があるフラッシュメモリとは異なり、データを書き込むための個別バイトアドレス機能を備えた不揮発性RAMです。 書き込みサイクル数の点で寿命があるため、頻繁に変更されないプログラム記憶域用に使用される傾向があります。
仕様
特性 | |
|---|---|
| メモリサイズ | 1Mbit |
| パッケージタイプ | TSOP |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 32 |
| 構成 | 128 x 8ビット |
| 動作供給電圧 Min | 2.7 V |
| 動作供給電圧 Max | 5.5 V |
| プログラミング電圧 | 2.7 → 5.5V |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit |
| 寸法 | 12.4 x 8.2 x 1.02mm |
| 動作温度 Min | -40 °C |
| 動作温度 Max | +85 °C |