ローム, EEPROM, 32kbit, SPI, 8 Pin, BR25G320F-3GE2
- RS品番:
- 185-0624
- メーカー型番:
- BR25G320F-3GE2
- メーカー/ブランド名:
- ローム
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
- RS品番:
- 185-0624
- メーカー型番:
- BR25G320F-3GE2
- メーカー/ブランド名:
- ローム
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | ローム | |
| メモリサイズ | 32kbit | |
| インターフェースタイプ | SPI | |
| パッケージタイプ | SOP | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 構成 | 4 K x 8ビット | |
| 動作供給電圧 Min | 1.6 V | |
| 動作供給電圧 Max | 5.5 V | |
| プログラミング電圧 | 1.6 → 5.5V | |
| 1ワード当たりのビット数 | 8bit | |
| 寸法 | 5 x 4.4 x 1.5mm | |
| ワード数 | 4K | |
| 動作温度 Max | +85 °C | |
| 動作温度 Min | -40 °C | |
| データ保持 | 100年 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド ローム | ||
メモリサイズ 32kbit | ||
インターフェースタイプ SPI | ||
パッケージタイプ SOP | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
構成 4 K x 8ビット | ||
動作供給電圧 Min 1.6 V | ||
動作供給電圧 Max 5.5 V | ||
プログラミング電圧 1.6 → 5.5V | ||
1ワード当たりのビット数 8bit | ||
寸法 5 x 4.4 x 1.5mm | ||
ワード数 4K | ||
動作温度 Max +85 °C | ||
動作温度 Min -40 °C | ||
データ保持 100年 | ||
- COO(原産国):
- JP
BR25G320F-3は、SPIバスインターフェイスの32 KビットシリアルEEPROMです。
最大20 MHzの高速クロック動作
HOLDB端子による待機機能
プログラムによってメモリアレイの一部又は全体を読み取り専用メモリ領域として設定可能
1.6 → 5.5 Vの単一電源動作でバッテリ用途に最適
ページ書き込みモードで最大64バイトです。
SPIバスインターフェースの場合(CPOL, CPHA) = (0, 0), (1, 1)
自己タイミング方式のプログラミングサイクル
低消費電流
書き込み動作時(5 V): 0.5 mA (標準)
読み込み動作時(5 V): 2.0 mA (標準)
スタンバイ時(5 V): 0.1 μA (標準)
読み取り動作でのアドレス自動インクリメント機能
書き込みミスの防止
電源投入時書き込み禁止
命令コード(WRDI)による書き込み禁止
WPBピンによる書き込み禁止
ステータスレジスタ(BP1、BP0)による書き込み禁止ブロックの設定
低電圧時の誤書き込み防止
100年を超えるデータ保持
100万回を超える書き込みサイクル
ビット形式16K x 8
出荷時データ
メモリアレイ: FFh
ステータスレジスタ: WPEN、BP1、BP0: 0
HOLDB端子による待機機能
プログラムによってメモリアレイの一部又は全体を読み取り専用メモリ領域として設定可能
1.6 → 5.5 Vの単一電源動作でバッテリ用途に最適
ページ書き込みモードで最大64バイトです。
SPIバスインターフェースの場合(CPOL, CPHA) = (0, 0), (1, 1)
自己タイミング方式のプログラミングサイクル
低消費電流
書き込み動作時(5 V): 0.5 mA (標準)
読み込み動作時(5 V): 2.0 mA (標準)
スタンバイ時(5 V): 0.1 μA (標準)
読み取り動作でのアドレス自動インクリメント機能
書き込みミスの防止
電源投入時書き込み禁止
命令コード(WRDI)による書き込み禁止
WPBピンによる書き込み禁止
ステータスレジスタ(BP1、BP0)による書き込み禁止ブロックの設定
低電圧時の誤書き込み防止
100年を超えるデータ保持
100万回を超える書き込みサイクル
ビット形式16K x 8
出荷時データ
メモリアレイ: FFh
ステータスレジスタ: WPEN、BP1、BP0: 0
