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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	ローム
	メモリサイズ	16kbit
	インターフェースタイプ	SPI
	パッケージタイプ	SOP-J
	実装タイプ	表面実装
	ピン数	8
	構成	2 K x 8ビット
	動作供給電圧 Min	2.5 V
	動作供給電圧 Max	5.5 V
	プログラミング電圧	2.5 → 5.5V
	1ワード当たりのビット数	8bit
	寸法	4.9 x 3.9 x 1.37mm
	動作温度 Min	-40 °C
	データ保持	100年
	ワード数	2K
	自動車規格	AEC-Q100
	動作温度 Max	+125 °C

	すべて選択
	ブランドローム
	メモリサイズ 16kbit
	インターフェースタイプ SPI
	パッケージタイプ SOP-J
	実装タイプ表面実装
	ピン数 8
	構成 2 K x 8ビット
	動作供給電圧 Min 2.5 V
	動作供給電圧 Max 5.5 V
	プログラミング電圧 2.5 → 5.5V
	1ワード当たりのビット数 8bit
	寸法 4.9 x 3.9 x 1.37mm
	動作温度 Min -40 °C
	データ保持 100年
	ワード数 2K
	自動車規格 AEC-Q100
	動作温度 Max +125 °C

Datasheet BR25H160FJ-2CE2

COO（原産国）:: JP

BR25H160-2Cは、SPIバスインターフェース方式のシリアルEEPROMです。

最大20 MHzの高速クロック動作
HOLDB端子による待機機能
プログラムによってメモリアレイの一部又は全体を読み取り専用メモリ領域として設定可能
1.6 → 5.5 Vの単一電源動作でバッテリ用途に最適
ページ書き込みモードで最大64バイトです。
SPIバスインターフェースの場合(CPOL, CPHA) = (0, 0), (1, 1)
自己タイミング方式のプログラミングサイクル
低消費電流
書き込み動作時(5 V): 0.5 mA (標準)
読み込み動作時(5 V): 2.0 mA (標準)
スタンバイ時(5 V): 0.1 μA (標準)
読み取り動作でのアドレス自動インクリメント機能
書き込みミスの防止
電源投入時書き込み禁止
命令コード(WRDI)による書き込み禁止
WPBピンによる書き込み禁止
ステータスレジスタ(BP1、BP0)による書き込み禁止ブロックの設定
低電圧時の誤書き込み防止
100年を超えるデータ保持
100万回を超える書き込みサイクル
ビット形式16K x 8
出荷時データ
メモリアレイ: FFh
ステータスレジスタ: WPEN、BP1、BP0: 0

ローム, EEPROM, 16kbit, SPI, 8 Pin, BR25H160FJ-2CE2

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