onsemi MOSFET NCV51752CDDR2G MOSFET 9 A 1 SOIC-8 NB です 1 8-Pin 20 V 表面
- RS品番:
- 220-559
- メーカー型番:
- NCV51752CDDR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 220-559
- メーカー型番:
- NCV51752CDDR2G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 出力電流 | 9A | |
| ピン数 | 8 | |
| パッケージ型式 | SOIC-8 NB です | |
| 降下時間 | 8.3ns | |
| 出力数 | 1 | |
| ドライバタイプ | MOSFET | |
| 上昇時間 | 22ns | |
| 最小電源電圧 | 3V | |
| ドライバ数 | 1 | |
| 最大電源電圧 | 20V | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| シリーズ | NCV51752 | |
| 長さ | 5mm | |
| 幅 | 6.2 mm | |
| 高さ | 1.75mm | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q100, SGS FIMO IEC 62386-1 (Planned), UL1577 (Planned), CQC GB4943.1-2011 (Planned) | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 自動車規格 | AEC-Q100 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
出力電流 9A | ||
ピン数 8 | ||
パッケージ型式 SOIC-8 NB です | ||
降下時間 8.3ns | ||
出力数 1 | ||
ドライバタイプ MOSFET | ||
上昇時間 22ns | ||
最小電源電圧 3V | ||
ドライバ数 1 | ||
最大電源電圧 20V | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
シリーズ NCV51752 | ||
長さ 5mm | ||
幅 6.2 mm | ||
高さ 1.75mm | ||
規格 / 承認 AEC-Q100, SGS FIMO IEC 62386-1 (Planned), UL1577 (Planned), CQC GB4943.1-2011 (Planned) | ||
取付タイプ 表面 | ||
自動車規格 AEC-Q100 | ||
- COO(原産国):
- PH
オン・セミコンダクターの絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバで、ソースとシンクのピーク電流はそれぞれ4.5A/9A。パワーMOSFETやSiC MOSFETパワースイッチを駆動するための高速スイッチング用に設計されている。
最小CMTI 200 V/ns dV/dt
入力端子の負電圧5V処理能力
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