Renesas Electronics MOSFET MOSFET 4 A 2 SOIC 2 8-Pin 14 V 表面

ゲートドライバIC・駆動回路 の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本98個入り) 小計：*

￥86,334.962

(税抜)

￥94,968.468

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,372 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1チューブあたりの価格*
98 - 392￥880.969￥86,335
490 - 882￥862.837￥84,558
980 - 2352￥816.929￥80,059
2450 - 4802￥793.959￥77,808
4900 +￥770.99￥75,557

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
196-8892
メーカー型番:
ISL2111ABZ
メーカー/ブランド名:
ルネサス エレクトロニクス
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

ルネサス エレクトロニクス

プロダクトタイプ

MOSFET

出力電流

4A

ピン数

8

パッケージ型式

SOIC

降下時間

190ns

出力数

2

ドライバタイプ

MOSFET

上昇時間

300ns

最小電源電圧

14V

ドライバ数

2

最大電源電圧

14V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

1.75mm

規格 / 承認

No

長さ

5mm

シリーズ

ISL2111

幅

4 mm

取付タイプ

表面

自動車規格

なし

Renesas Electronics の ISL2111 シリーズは、 100 V 、高周波、ハーフブリッジ N チャンネルパワー MOSFET ドライバ IC です。これらはに基づいています

HIP2100 、 HIP2101 ハーフブリッジドライバが普及していますが、いくつかの性能向上が図られています。

N チャネル MOSFET ハーフブリッジを駆動します

SOIC 、 DFN 、及び TDFN パッケージオプションです

ブートストラップ最大供給電圧： 114 V dc

関連ページ