ON Semiconductorゲートドライバは、それぞれ4.5A/9Aのソース及びシンクピーク電流を備えた絶縁デュアルチャンネルゲートドライバです。パワーMOSFETやSiC MOSFETパワースイッチを駆動するための高速スイッチング用に設計されています。NCP51561は短い遅延時間とマッチした遅延時間を提供します。入力から各出力への2つの独立した5kVrmsの内部ガルバニック絶縁と、2つの出力ドライバ間の内部機能絶縁により、最大1500VDCの動作電圧が可能。このドライバは、2つのローサイドスイッチ、2つのハイサイドスイッチ、またはプログラム可能なデッドタイムを持つハーフブリッジドライバなど、様々な構成で使用できます。ENA/DISピンは、ENABLEモードまたはDISABLEモードにそれぞれLOWまたはHIGHに設定された場合、両方の出力を同時にシャットダウンします。NCP51561は、両ゲートドライバの独立した低電圧ロックアウトやデッドタイム調整機能など、その他の重要な保護機能を備えています。

4.5 Aのピークソース、9 Aのピークシンク出力電流能力

柔軟性：デュアルローサイド、デュアルハイサイド又はハーフブリッジゲートドライバ

出力ドライバの独立したUVLO保護

MOSFET用の6.5 Vから30 Vの出力電源電圧、SiC用の5 Vおよび8 Vの閾値、13 Vおよび17 VのUVLO

コモンモード過渡耐性 CMTI > 200 V/ns

伝搬遅延(代表値) 36 ns(チャンネルあたり最大遅延マッチング5 ns、最大パルス幅歪み5 ns)

ANB、ENABLE又はDISABLEモード経由でユーザープログラム可能な入力ロジックシングル又はデュアル−入力モード

ユーザープログラム可能なデッドタイム

個	単価	購入単位毎合計*
2 - 48	￥437.50	￥875
50 - 478	￥388.00	￥776
480 - 638	￥339.50	￥679
640 - 798	￥289.50	￥579
800 +	￥240.50	￥481

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	出力電流	6.5A
	ピン数	8
	降下時間	13ns
	パッケージ型式	SOIC
	ドライバタイプ	MOSFET
	上昇時間	12ns
	最小電源電圧	22V
	最大電源電圧	22V
	動作温度 Min	-40°C
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	シリーズ	NCD57
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	出力電流 6.5A
	ピン数 8
	降下時間 13ns
	パッケージ型式 SOIC
	ドライバタイプ MOSFET
	上昇時間 12ns
	最小電源電圧 22V
	最大電源電圧 22V
	動作温度 Min -40°C
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	シリーズ NCD57
	自動車規格なし

onsemi MOSFET NCD57091BDWR2G MOSFET 6.5 A SOIC 8-Pin 22 V

￥3,000円を超える注文については、送料無料

関連ページ