DiodesZetex ゲートドライバモジュール 690 mA 2 SOIC 8-Pin 624 V

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計:*

¥407,900.00

(税抜)

¥448,700.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,500 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
2500 - 2500¥163.16¥407,900
5000 - 22500¥160.76¥401,900
25000 - 35000¥158.361¥395,903
37500 - 47500¥155.962¥389,905
50000 +¥153.562¥383,905

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
246-6757
メーカー型番:
DGD2190MS8-13
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

プロダクトタイプ

ゲートドライバモジュール

出力電流

690mA

ピン数

8

パッケージ型式

SOIC

降下時間

20ns

最小電源電圧

-0.3V

ドライバ数

2

最大電源電圧

624V

動作温度 Min

-40°C

動作温度 Max

125°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

DiodesZetexのハーフブリッジ構成でNチャンネルMOSFETを駆動できる高電圧 / 高速ゲートドライバです。 高電圧処理技術により、DGD2005のハイサイドはブートストラップで200 Vに切り替えることができます。ハイサイドドライバとローサイドドライバの間で30 ns (最大)の伝播遅延がマッチングされているため、高周波スイッチングが可能です。DGD2005は省スペースSO-8パッケージで提供され、-40 → +125 °Cの幅広い温度範囲で動作します。

10 → 20 Vの幅広いローサイドゲートドライバ供給電圧 600 Vまでのブートストラップ動作のフローティングハイサイドドライバ 2つのNチャンネルMOSFETまたはIGBTをハーフブリッジ構成で駆動 ハイサイドドライバとローサイドドライバの低電圧誤動作防止機能 -40 → +125 °Cの幅広い温度範囲

関連ページ