Infineon ゲートドライバモジュール 2.3 A 8-Lead SOIC 8-Pin

Infineonハーフブリッジドライバは、高電圧、高速パワーMOSFET及びIGBTドライバで、ハイサイド / ローサイドリファレンス出力チャンネルに依存します。独自のHVIC技術、ラッチ耐性CMOS技術により、頑丈なモノリシック構造を実現します。ロジック入力は、標準的なCMOS又はLSTTL出力と互換性があり、最大3.3 Vのロジックです。この出力ドライバは、ドライバのクロス伝導を最小限に抑えるように設計された高パルス電流バッファステージを備えています。このフローティングチャンネルは、最大600 Vで動作するハイサイド構成のNチャンネルパワーMOSFET又はIGBTを駆動するために使用できます。

ブートストラップ動作用に設計されたフローティングチャンネル
+600 Vまで完全動作
負の過渡電圧に対する耐性、dV/dt耐性
ゲートドライブ電源範囲: 10 → 20 V
両チャンネルの低電圧ロックアウト
33 V及び5 V入力ロジック互換
両方のチャンネルに対応した拡散遅延
ロジック及びパワーアース、+/- 5 Vオフセット
低いdi/dtゲートドライバでノイズ耐性を向上
出力ソース / シンク電流容量: 14 A / 18 A