Transcend SSD MTE710T-I M.2 (2280) 内側 いいえ
- RS品番:
- 262-9699
- メーカー型番:
- TS1TMTE710T-I
- メーカー/ブランド名:
- トランセンド
1個小計:*
¥53,080.00
(税抜)
¥58,388.00
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫限り
- 3 は海外在庫あり(最終在庫)
個 | 単価 |
|---|---|
| 1 + | ¥53,080 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 262-9699
- メーカー型番:
- TS1TMTE710T-I
- メーカー/ブランド名:
- トランセンド
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | トランセンド | |
| プロダクトタイプ | SSD | |
| モデル番号 | MTE710T-I | |
| 内部/外部 | 内側 | |
| フォームファクタ | M.2 (2280) | |
| 産業グレード | はい | |
| NANDタイプ | 3D TLC | |
| 自己破壊 | いいえ | |
| インタフェースタイプ | NVMe PCIe Gen 4 x4 | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 動作温度 Max | 85°C | |
| 規格 / 承認 | NVM Express specification 1.4, RoHS 2.0 standards | |
| 幅 | 22mm | |
| 長さ | 80mm | |
| 高さ | 3.58mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド トランセンド | ||
プロダクトタイプ SSD | ||
モデル番号 MTE710T-I | ||
内部/外部 内側 | ||
フォームファクタ M.2 (2280) | ||
産業グレード はい | ||
NANDタイプ 3D TLC | ||
自己破壊 いいえ | ||
インタフェースタイプ NVMe PCIe Gen 4 x4 | ||
動作温度 Min -40°C | ||
動作温度 Max 85°C | ||
規格 / 承認 NVM Express specification 1.4, RoHS 2.0 standards | ||
幅 22mm | ||
長さ 80mm | ||
高さ 3.58mm | ||
RoHSステータス: 対象外
トランセンドSSDハードドライブ、容量1TB、NVMe PCIe Gen 4 x 4インターフェイス - TS1TMTE710T-I
このソリッド・ステート・ドライブは、容量1TBの高性能ストレージ・ソリューションを提供します。コンパクトなM.2 2280フォーム・ファクタで設計されており、効率性と速度を確保しながら、さまざまなコンピューティング・デバイスにシームレスにフィットします。産業用アプリケーションに十分耐えうる堅牢な内部アーキテクチャを備え、厳しい環境下でも信頼性を保証します。
特長
• PCIe Gen 4 x4インターフェースが超高速データ転送を実現
• 112層の3D TLC NANDを採用し、高度なストレージ効率を実現
• DDR4 DRAMキャッシュを内蔵し、スピードとアクセス時間を向上
• 40℃~85℃の広い温度範囲により、過酷な条件下でも信頼性を確保
• ダイナミック・サーマル・スロットリングにより、集中操作時の過熱を防止
用途
• オートメーションシステムの高速データ処理に使用
• 産業用電子機器の組み込みソリューションに最適
• 堅牢なストレージ・ソリューションを必要とする機械システムに適用可能
• 信頼性の高いデータ検索を必要とする電気工学分野に最適
112層3D NAND技術の意義とは?
112層の3D NAND技術は、ストレージ密度を向上させ、従来のレイヤー設計と比較して、より高速な読み取り/書き込み動作をサポートしながら、効率と性能の向上をもたらします。
PCIe Gen 4 x4インターフェイスはパフォーマンスにどのような影響を与えますか?
このインターフェイスにより、データ転送速度が大幅に向上し、読み出しは最大3,800 MB/秒、書き込みは最大3,200 MB/秒に達します。
このドライブはどのような環境要因に耐えられるのか?
このドライブは、-40℃から85℃までの極端な温度範囲で動作するように設計されており、温度変動が一般的な標準環境と産業環境の両方での使用に適しています。
DRAMキャッシュはドライブ全体の効率にどのような影響を与えますか?
DDR4 DRAMキャッシュが内蔵されているため、データアクセスが高速化され、読み取り/書き込み処理が高速化されるため、データ分析やプログラム実行などの集中的なタスクの待ち時間が短縮されます。
