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詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Toshiba
	ロジックタイプ	AND
	実装タイプ	表面実装
	エレメント数	4
	ゲートあたりの入力数	2
	パッケージタイプ	SOIC
	ピン数	14
	論理回路	74HC
	動作供給電圧 Max	6 V
	高レベル出力電流 Max	-5.2mA
	最大伝播遅延時間 @ 最大 CL	135 ns @ 50 pF
	動作供給電圧 Min	2 V
	低レベル出力電流 Max	5.2mA
	長さ	8.95mm
	幅	3.9mm
	高さ	1.38mm
	伝播遅延テスト条件	50pF
	出力タイプ	バッファ, CMOS
	動作温度 Min	-40 °C
	寸法	8.95 x 3.9 x 1.38mm
	動作温度 Max	+125 °C

	すべて選択
	ブランド Toshiba
	ロジックタイプ AND
	実装タイプ表面実装
	エレメント数 4
	ゲートあたりの入力数 2
	パッケージタイプ SOIC
	ピン数 14
	論理回路 74HC
	動作供給電圧 Max 6 V
	高レベル出力電流 Max -5.2mA
	最大伝播遅延時間 @ 最大 CL 135 ns @ 50 pF
	動作供給電圧 Min 2 V
	低レベル出力電流 Max 5.2mA
	長さ 8.95mm
	幅 3.9mm
	高さ 1.38mm
	伝播遅延テスト条件 50pF
	出力タイプバッファ, CMOS
	動作温度 Min -40 °C
	寸法 8.95 x 3.9 x 1.38mm
	動作温度 Max +125 °C

74HC08Dは、シリコンゲートC2MOS技術に基づいて製造された高速CMOS 2入力NANDシュミットトリガゲートです。CMOSの低消費電力を維持しながら、同等のLSTTLに匹敵する高速動作を実現しています。ピン配置と機能は74HC00Dと同一ですが、入力に25 % VCCヒステリシスがあり、そのシュミットトリガ入力により、遅い入力信号用のラインレシーバとして使用できます。すべての入力には静電気放電又は過渡過電圧に対する保護回路が付加されています。

高速: tpd = 6 ns (標準) @ VCC = 5 V
低消費電力: ICC = 1.0 μA (最大) @ Ta = 25 °C
平衡伝搬遅延: tPLH ≈ tPHL
広い動作電圧範囲: VCC (opr) = 2.0 → 6.0 V

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

Toshiba ロジックゲート, AND, 表面実装, 2-入力, SOIC