ローム MOSFETゲートドライバ SOP 2 8-Pin ハイ/ローサイド 非反転 表面実装

BS2101Fは、ブートストラップ操作で高速パワーMOSFETとIGBTドライバを駆動できるモノリシックハイ及びローサイドゲートドライブICです。フローティングチャンネルは、600 Vまで動作するハイサイド構成でNチャンネルパワーMOSFET又はIGBTを駆動するために使用できます。ロジック入力には3.3 V及び5.0 Vが使用できます。低電圧ロックアウト(UVLO)回路は、VCCとVBSが指定したしきい値電圧よりも低い場合に故障を防止します。

+600 Vまでのブートストラップ操作向けのフローティングチャンネル
ゲートドライブ供給電圧範囲: 10 → 18 V
両方のチャンネルに低電圧ロックアウトを内蔵
3.3 V及び5.0 V入力ロジックに対応
両チャンネルの伝搬遅延を整合
入力と同位相で出力