STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 3 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, STD4NK80ZT4

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梱包形態
RS品番:
151-900P
メーカー型番:
STD4NK80ZT4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

SuperMESH

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.5Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.6V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±30 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22.5nC

動作温度 Max

150°C

幅

6.6 mm

高さ

2.4mm

長さ

10.1mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronicsパワーMOSFETは、確立されたPowerMESHの最適化であるSuperMESH技術を使用して開発されたZener保護Nチャンネルを備えた高電圧デバイスです。このデバイスは、オン抵抗の大幅な削減に加えて、最も要求の厳しい用途に対応する高レベルのDVD/dt容量を確保するように設計されています。

ゲート充電を最小限に抑える

非常に低い本質静電容量

ツェナー保護