STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 1000 V, 85 A エンハンスメント型, 3-Pin パッケージTO-252, STD2NK100Z
- RS品番:
- 151-902P
- メーカー型番:
- STD2NK100Z
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 151-902P
- メーカー型番:
- STD2NK100Z
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 85A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1000V | |
| シリーズ | SuperMESH | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 8.5Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.6V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 最大許容損失Pd | 70W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 16nC | |
| 動作温度 Max | 159°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 85A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1000V | ||
シリーズ SuperMESH | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 8.5Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.6V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
最大許容損失Pd 70W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 16nC | ||
動作温度 Max 159°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
STMicroelectronicsパワーMOSFETは、確立されたPowerMESHの最適化であるSuperMESH技術を使用して開発されたZener保護Nチャンネルを備えた高電圧デバイスです。このデバイスは、オン抵抗の大幅な削減に加えて、最も要求の厳しい用途に対応する高レベルのDVD/dt容量を確保するように設計されています。
ゲート充電を最小限に抑える
非常に低い本質静電容量
ツェナー保護