STMicroelectronics MOSFET, タイプPチャンネル 650 V デプレッション型, 表面, 9-Pin パッケージACEPACK SMIT, STGSH80HB65DAG
- RS品番:
- 152-183P
- メーカー型番:
- STGSH80HB65DAG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
ボリュームディスカウント対象商品
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￥32,040.00
(税抜)
￥35,244.00
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個 | 単価 |
|---|---|
| 10 - 99 | ￥3,204 |
| 100 + | ￥3,100 |
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- RS品番:
- 152-183P
- メーカー型番:
- STGSH80HB65DAG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | ACEPACK SMIT | |
| シリーズ | HB | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 9 | |
| チャンネルモード | デプレッション型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.9V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 456nC | |
| 最大許容損失Pd | 250W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 25.20mm | |
| 規格 / 承認 | Automotive-grade | |
| 高さ | 4.05mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 ACEPACK SMIT | ||
シリーズ HB | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 9 | ||
チャンネルモード デプレッション型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.9V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 456nC | ||
最大許容損失Pd 250W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 25.20mm | ||
規格 / 承認 Automotive-grade | ||
高さ 4.05mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
STMicroelectronicsデバイスは、非常にコンパクトで頑丈で表面実装が簡単なパッケージに取り付けられたハーフブリッジトポロジで2つのIGBTとダイオードを組み合わせています。このデバイスは、導電損失とスイッチング損失の両方に最適化されたHBシリーズIGBTの一部で、ソフトコントロールに最適化されています。各スイッチには、低ドロップフォワード電圧のフリーホイールダイオードが付属しています。
AQG 324有資格者
高速スイッチングシリーズ
テール電流の最小化
タイトなパラメータ分布
DBC基板による低い耐熱性