STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 30 A, 表面実装, 7 ピン, SCT060HU75G3AG
- RS品番:
- 215-239
- メーカー型番:
- SCT060HU75G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 215-239
- メーカー型番:
- SCT060HU75G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 30 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 750 V | |
| パッケージタイプ | HU3PAK | |
| シリーズ | SCT | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 7 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| トランジスタ素材 | SiC | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 30 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 750 V | ||
パッケージタイプ HU3PAK | ||
シリーズ SCT | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 7 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
トランジスタ素材 SiC | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
- COO(原産国):
- JP
STマイクロエレクトロニクスの炭化ケイ素パワーMOSFETデバイスは、STの先進的かつ革新的な第3世代SiC MOSFET技術を用いて開発されました。このデバイスは、温度範囲全体で非常に低いRDS(オン)と低静電容量と非常に高いスイッチング動作を備え、周波数、エネルギー効率、システムサイズ、重量の削減においてアプリケーションの性能を向上させます。
高速スイッチング性能
非常に高速で堅牢なボディダイオード
非常に高速で堅牢なボディダイオード
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