STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル, 30 A 750 V, 表面 エンハンスメント型, 7-Pin, SCT060HU75G3AG パッケージHU3PAK
- RS品番:
- 215-239
- メーカー型番:
- SCT060HU75G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 215-239
- メーカー型番:
- SCT060HU75G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 30A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 750V | |
| パッケージ型式 | HU3PAK | |
| シリーズ | SCT | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 7 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 30A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 750V | ||
パッケージ型式 HU3PAK | ||
シリーズ SCT | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 7 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
- COO（原産国）:
- JP
STMicroelectronicsシリコンカーバイドパワーMOSFETデバイスは、STの先進的で革新的な第3世代SiC MOSFET技術を使用して開発されています。このデバイスは、温度範囲全体で非常に低いRDS(オン)と低静電容量と非常に高いスイッチング動作を備え、周波数、エネルギー効率、システムサイズおよび重量の削減においてアプリケーションの性能を向上させます。
高速スイッチング性能
非常に高速で堅牢なボディダイオード