インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 90 A, 表面実装, 22 ピン, IPDQ60R025CFD7XTMA1

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RS品番:
284-742
メーカー型番:
IPDQ60R025CFD7XTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

90 A

最大ドレイン-ソース間電圧

600 V

パッケージタイプ

PG-HDSOP-22

シリーズ

600V CoolMOS

実装タイプ

表面実装

ピン数

22

チャンネルモード

エンハンスメント型

1チップ当たりのエレメント数

1

トランジスタ素材

SiC

インフィニオンのMOSFETは、CoolMOS CFD7パワー・トランジスタを搭載し、位相シフト・フルブリッジおよびLLCアプリケーション用に綿密に設計された高電圧パワー・マネージメントの新しいベンチマークを設定します。その革新的なスーパージャンクション技術により、共振トポロジーにおける卓越した効率が保証され、ソフトスイッチング環境に最適な位置付けとなっている。超高速ボディ・ダイオード性能と最小限のゲート電荷を組み合わせた堅牢な設計により、このパワー・トランジスタはシステムの信頼性と性能を大幅に向上させます。サーバー・インフラ、電気通信システム、電気自動車充電など多様な用途に最適で、効率性と堅牢性の頂点を示す。CFD7シリーズは、電力管理に対する洗練されたアプローチの先駆けであり、エネルギー効率と運用上の堅牢性に対する現代の要求を満たすだけでなく、それを上回るものです。

超高速ボディダイオードがスイッチングを最適化
低ゲートチャージで高効率を実現
クラス最高の逆回復がパフォーマンスを向上
di/dtストレスに耐える堅牢な設計
高電力密度ソリューションに最適
産業用としてJEDEC認定
合理化された実装で設計プロセスを簡素化

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