インフィニオン MOSFET, Nチャンネル, 24 A, 表面実装, 22 ピン, IPDQ65R125CFD7XTMA1
- RS品番:
- 284-886
- メーカー型番:
- IPDQ65R125CFD7XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
取扱終了
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- RS品番:
- 284-886
- メーカー型番:
- IPDQ65R125CFD7XTMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 24 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V | |
| パッケージタイプ | PG-HDSOP-22 | |
| シリーズ | 650V CoolMOS | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 22 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| トランジスタ素材 | SiC | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 24 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 650 V | ||
パッケージタイプ PG-HDSOP-22 | ||
シリーズ 650V CoolMOS | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 22 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
トランジスタ素材 SiC | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
インフィニオンのMOSFETは、650V CoolMOS技術の最新版を搭載しており、このパワー・デバイスは、スイッチング損失の低減と卓越した熱性能の革新的な融合を示しています。共振スイッチング・シナリオにおける効率を最適化するように設計されており、高い電力密度と信頼性を必要とするアプリケーションに最適です。このデバイスは、CoolMOSファミリーの最新の後継として、要求の厳しいさまざまな産業用アプリケーションに適した強化された機能を提供します。超高速ボディ・ダイオードと優れたハード整流ロバスト性により、このデバイスは特にソフト・スイッチング・トポロジーに優れており、電気通信や電気自動車充電などの分野にソリューションを提供します。設計の柔軟性を高めるために最適化されたこの製品は、厳しい効率基準と高い信頼性要件を満たすと同時に、現代の電力アプリケーションのコスト効率に優れた性能を実現します。
超高速ボディダイオードがスイッチングを強化
スイッチング損失を低減し、エネルギー効率を向上
高バス電圧に対する特別な安全マージン
コンパクトな高電力密度ソリューションが可能
産業用の卓越した軽負荷効率
従来のCoolMOSファミリーに匹敵する価格
JEDEC規格に完全準拠
スイッチング損失を低減し、エネルギー効率を向上
高バス電圧に対する特別な安全マージン
コンパクトな高電力密度ソリューションが可能
産業用の卓越した軽負荷効率
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