onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 12 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, RFP12N10L

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梱包形態
RS品番:
295-703
メーカー型番:
RFP12N10L
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

12A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

200mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

10 V

順方向電圧 Vf

1.2V

最大許容損失Pd

60W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

10.67mm

幅

4.83 mm

高さ

9.4mm

自動車規格

AEC-Q101

Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET


強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

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