Infineon MOSFET, タイプP, タイプNチャンネル 30 V, 8.4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージPG-TO252-3, ISA220280C03LMDSXTMA1

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RS品番:
348-904
メーカー型番:
ISA220280C03LMDSXTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

最大連続ドレイン電流Id

8.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PG-TO252-3

シリーズ

ISA

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

22mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

2.5W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Max

150°C

長さ

6.2mm

幅

5 mm

高さ

1.75mm

規格 / 承認

IEC61249‐2‐21, JEDEC

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Infineon OptiMOS 3 パワートランジスタは、相補型 N チャネルおよび P チャネル構成で提供され、高効率スイッチング用途向けに設計されています。これらの MOSFET は、超低いオン抵抗（RDS(on)）を特徴としており、導通損失を最小限に抑え、システム全体の性能を向上させます。さらに、耐熱性にも優れ、要求の厳しい用途でも優れた放熱性と信頼性を発揮します。これらの特性は、さまざまな電力管理やエネルギー効率の高い設計に理想的です。

100% アバランシェ試験済み

鉛フリー鉛メッキおよび RoHS 準拠

IEC61249-2-21 に準拠したハロゲンフリー

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