Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 1200 V, 70 A エンハンスメント型, スルーホール, 4-Pin パッケージPG-TO-247-4-U02, IMZA120R030M1HXKSA1

Infineon CoolSiC SiC MOSFET（TO-247-4 パッケージ）は、性能と信頼性を両立するように最適化された最先端のトレンチ半導体プロセスに基づいて製造されています。IGBT や MOSFET などの従来のシリコン （Si） ベースのスイッチと比較すると、SiC MOSFET には一連の利点があります。これには、1200 V スイッチで実現した最低のゲート電荷およびデバイス容量レベル、内部整流防止ボディダイオードの逆回復損失なし、温度に依存しない低スイッチング損失、およびしきい値のないオン状態特性などが含まれます。

クラス最高のスイッチング損失と導通損失