Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 230 A エンハンスメント型, 表面, 10-Pin パッケージPG-LHDSO-10-1, IAUCN04S6N013TATMA1

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RS品番:
349-164
メーカー型番:
IAUCN04S6N013TATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

230A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

OptiMOS-TM6

パッケージ型式

PG-LHDSO-10-1

取付タイプ

表面

ピン数

10

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.68mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

0.8V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

52nC

最大許容損失Pd

133W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

AEC-Q101, RoHS

自動車規格

AEC-Q101

COO(原産国):
MY
Infineon Automotive MOSFET は、自動車用途向けに特別に設計された OptiMOS パワー MOSFET です。通常レベルの特性を備えた N チャネルエンハンスメントモードデバイス。この MOSFET は、AEC-Q101 規格を上回る認定を受けており、信頼性の高い性能を保証するため、電気試験を強化しています。堅牢な設計により、過酷な車載環境に適しており、耐久性と効率的な動力管理を実現します。

MSL1 最大 260℃ ピークリフロー

175 °C動作温度

RoHS 準拠

潜在用途

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