Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 750 V, 34 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージPG-TO263-7, AIMBG75R060M1HXTMA1

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RS品番:
349-211
メーカー型番:
AIMBG75R060M1HXTMA1
メーカー/ブランド名:
Infineon
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ブランド

Infineon

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

34A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

750V

シリーズ

CoolSiC

パッケージ型式

PG-TO263-7

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

78mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

167W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

23nC

最大ゲートソース電圧Vgs

23 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
MY
Infineon 750 V CoolSiC MOSFET は、Infineon が 20 年以上かけて開発したソリッドシリコンカーバイド技術に基づいて構築されています。ワイドバンドギャップ SiC 材の特性を活用した 750V CoolSiC MOSFET は、性能、信頼性、使いやすさの独自の組み合わせを提供します。高温および過酷な動作環境に適しており、最高レベルのシステム効率を簡素かつコスト効率良く実現します。

Infineon 独自のダイアタッチ技術

ドライバソースピンあり

500 V を超えるバス電圧に対する堅牢性と信頼性の向上

ハードスイッチングにおける優れた効率性

ソフトスイッチングトポロジにおける高いスイッチング周波数

ユニポーラゲート駆動における寄生ターンオンに対する堅牢性

ゲート制御の改善によるスイッチング損失の低減

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