Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 91 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージPG-TO263-7, IMBG65R020M2HXTMA1

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RS品番:
349-325
メーカー型番:
IMBG65R020M2HXTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

91A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

CoolSiC

パッケージ型式

PG-TO263-7

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

20mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

57nC

最大許容損失Pd

326W

最大ゲートソース電圧Vgs

23 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY
Infineon 650 V CoolSiC MOSFET G2 は、Infineon の堅牢な第 2 世代シリコンカーバイドトレンチ 技術に基づいて構築され、比類のない性能、優れた信頼性、優れた使いやすさを実現します。この MOSFET は、コスト効率に優れ、高効率で簡素化された設計を可能にし、最新の電力システムと市場で増え続けるニーズに応えます。高効率と堅牢な性能が求められる用途に最適で、幅広いパワーエレクトロニクスに信頼性の高いソリューションを提供します。

超低スイッチング損失

0 V ターンオフのゲート電圧でも寄生ターンオンに対して堅牢な耐性

柔軟な駆動電圧とバイポーラドライブスキームに対応

ハード整流事象下での堅牢なボディダイオード動作

クラス最高の熱性能を実現する .XT 相互接続技術

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