Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 13 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPG-TSON-8, IGLR65R140D2XUMA1

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥3,071.00

(税抜)

￥3,378.10

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 4,995 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5 - 45￥614.20￥3,071
50 - 95￥583.40￥2,917
100 +￥540.40￥2,702

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
351-876
メーカー型番:
IGLR65R140D2XUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

13A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

パッケージ型式

PG-TSON-8

シリーズ

IGLR65

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.17Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

47W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

1.8nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

JEDEC for Industrial Applications

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY
Infineon GaN 電力トランジスタは、高周波動作での効率向上を可能にします。CoolGaN 650 V G5 ファミリーの一部として、最高の品質基準を満たし、優れた効率で信頼性の高い設計を可能にします。底面冷却 ThinPAK パッケージに収められており、スリムフォームファクターの民生用途と産業用途に適しています。

650 V 電子モード電力トランジスタ

超高速スイッチング

逆回復電荷なし

逆導通が可能

低ゲート電荷、低出力電荷

優れた通電耐久性

低動的 RDS(on)

高 ESD 堅牢性：2 kV HBM - 1 kV CDM

底面冷却パッケージ

JEDEC 認定（JESD47、JESD22）

関連ページ