Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 750 V, 163 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージPG-TO247-4, AIMZA75R008M1HXKSA1

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RS品番:
351-988
メーカー型番:
AIMZA75R008M1HXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

163A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

750V

シリーズ

AIMZA75

パッケージ型式

PG-TO247-4

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

14.0mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

178nC

順方向電圧 Vf

5.3V

最大許容損失Pd

517W

最大ゲートソース電圧Vgs

23 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

AEC Q101

幅

15.9 mm

長さ

21.1mm

高さ

5.1mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
AT
Infineon CoolSiC Automotive MOSFET は、ソリッドシリコンカーバイド技術に基づいて構築されています。性能、信頼性、堅牢性に優れ、ゲート駆動の柔軟性も備えているため、最高の効率と電力密度を実現する簡素でコスト効率の高いシステム設計が可能です。

ハードスイッチングにおける優れた効率性

より高いスイッチング周波数を実現

より高い信頼性

セルフターンに対する堅牢性

ユニポーラ駆動

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