Infineon MOSFET, Nチャンネル, 750 V, 163 A, 14.0 mΩ, 178 nC, 4ピン, パッケージ：PG-TO247-4
- RS品番:
- 351-988
- メーカー型番:
- AIMZA75R008M1HXKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- 351-988
- メーカー型番:
- AIMZA75R008M1HXKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 163A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 750V | |
| パッケージ型式 | PG-TO247-4 | |
| シリーズ | AIMZA75 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 14.0mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 517W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 178nC | |
| 順方向電圧 Vf | 5.3V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 23V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 21.1mm | |
| 高さ | 5.1mm | |
| 幅 | 15.9mm | |
| 規格 / 承認 | AEC Q101 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 163A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 750V | ||
パッケージ型式 PG-TO247-4 | ||
シリーズ AIMZA75 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 14.0mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 517W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 178nC | ||
順方向電圧 Vf 5.3V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 23V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 21.1mm | ||
高さ 5.1mm | ||
幅 15.9mm | ||
規格 / 承認 AEC Q101 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon CoolSiC Automotive MOSFET は、ソリッドシリコンカーバイド技術に基づいて構築されています。性能、信頼性、堅牢性に優れ、ゲート駆動の柔軟性も備えているため、最高の効率と電力密度を実現する簡素でコスト効率の高いシステム設計が可能です。
ハードスイッチングにおける優れた効率性
より高いスイッチング周波数を実現
より高い信頼性
セルフターンに対する堅牢性
ユニポーラ駆動
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