6 STMicroelectronics MOSFETアレイ シックスパック・トポロジー, タイプNチャンネル, 30 A, スルーホール 1200 V, 32-Pin エンハンスメント型, M2P45M12W2-1LA

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RS品番:
640-673
メーカー型番:
M2P45M12W2-1LA
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFETアレイ

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1200V

シリーズ

M2P45M12W2

パッケージ型式

ACEPACK DMT-32

取付タイプ

スルーホール

ピン数

32

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

60.5mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

2.5V

最大ゲートソース電圧Vgs

22 V

動作温度 Min

-40°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

100nC

トランジスタ構成

シックスパック・トポロジー

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

AQG 324, Automotive‐grade

高さ

5.90mm

幅

27.90 mm

長さ

44.50mm

1チップ当たりのエレメント数

6

自動車規格

AQG 324

COO（原産国）:
CN
ACEPACK DMT-32パッケージに収納されたSTMicroelectronicsの車載グレード電力モジュール。ハイブリッド車や電気自動車の車載充電器（OBC）のDC/DCコンバーターステージ用に最適化された第2世代のシリコンカーバイド（SiC）MOSFETを使用したシックスパックトポロジーを実装しています。高効率高周波スイッチング用に設計され、温度監視用のNTCサーミスタを内蔵し、優れた熱性能のために窒化アルミニウム（AlN）絶縁基板を特徴としています。

高電圧用途向け1200 Vブロッキング電圧

47.5mΩの典型的なRDS(on)で導通損失を低減

最高接合温度：175 °Cの耐久性

効率的な放熱のためのDBC Cu-AlN-Cu基板

安全性を高める3kVの絶縁電圧

リアルタイム熱フィードバック用内蔵NTCセンサー

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