Microchip シングルMOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 115 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, 2N7002-G
- RS品番:
- 644-261
- メーカー型番:
- 2N7002-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
N
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- RS品番:
- 644-261
- メーカー型番:
- 2N7002-G
- メーカー/ブランド名:
- Microchip
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Microchip | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | シングルMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 115mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| シリーズ | 2N7002 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 7.5Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 0.36W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±30 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 30nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 1.3 mm | |
| 規格 / 承認 | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| 高さ | 1.12mm | |
| 長さ | 2.9mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Microchip | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ シングルMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 115mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
シリーズ 2N7002 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 7.5Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 0.36W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±30 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 30nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 1.3 mm | ||
規格 / 承認 Lead (Pb)-free/RoHS | ||
高さ 1.12mm | ||
長さ 2.9mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- TH
MicrochipのNチャンネルは、低スレッショルドのエンハンスメントモード（通常オフ）トランジスターで、縦型DMOS構造と実績のあるシリコンゲート製造プロセスを採用しています。この組み合わせにより、バイポーラトランジスターの電力処理能力と、MOSデバイス特有の高い入力インピーダンスと正の温度係数を持つデバイスが生まれます。すべてのMOS構造の特徴として、このデバイスは熱暴走や熱誘起二次降伏の心配がありません。
二次故障なし
低電力駆動要件
並列化が容易