ローム シングルMOSFET, タイプNチャンネル 100 V エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージHSMT-8AG, RQ3P120BKFRATCB

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RS Stock No.:
687-380
Mfr. Part No.:
RQ3P120BKFRATCB
Brand:
ローム
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ブランド

ローム

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

HSMT-8AG

シリーズ

RQ3P120BKFRA

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

58mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

40W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6.9nC

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

幅

300 mm

長さ

3.30mm

高さ

0.9mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
JP
ロームのNチャンネルパワーMOSFETは、さまざまな用途で効率的なエネルギー管理を実現するために設計されています。最大100Vのドレイン・ソース電圧と±12Aの連続定格電流に耐えるこのMOSFETは、電力密度と耐熱性の両方に優れています。コンパクトなHSMT8AGパッケージは、PCBのスペース要件を64%大幅に削減し、信頼性と効率を求める最新の電子設計に理想的な選択肢となります。AEC-Q101 認定により、自動車用途での堅牢な動作を保証し、ADAS から照明ソリューションまで幅広い用途に対応します。

小型の高出力パッケージにより、PCB上のスペースを64 %最適化

革新的な端子とメッキ処理による高い取り付け信頼性

AEC Q101 認定により、車載用途での信頼性を保証

最大消費電力 40W に対応する設計により、効果的な熱管理を実現

58 mΩ の低オン抵抗が効率と性能を向上

±20 Vの堅牢なゲートソース電圧許容差により、統合可能性を拡張

8 Aのアバランシェ定格と5.2 mJのエネルギー損失により、動作中の保護を強化

-55～+150°Cの温度範囲で信頼性の高い動作

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