ローム シングルMOSFET, タイプPチャンネル 80 V エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252 （TL）, RD3N03BATTL1

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梱包形態
RS品番:
687-384
メーカー型番:
RD3N03BATTL1
メーカー/ブランド名:
ローム
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ブランド

ローム

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

RD3N03BAT

パッケージ型式

TO-252 （TL）

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

56mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

50nC

最大許容損失Pd

54W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

AEC-Q101, RoHS

高さ

2.3mm

長さ

10.50mm

幅

6.8 mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
JP
ロームのPチャンネルパワーMOSFETは、モータードライブやスイッチング回路など、さまざまな用途で効率的な動作を実現するように設計されています。最大ドレインソース間電圧は -80V で、連続ドレイン電流能力は -30A に達します。このデバイスは、過酷な条件下でも堅牢な性能を発揮するように設計されています。56 mΩの低オン抵抗により、最適な効率を実現し、動作中のエネルギー損失を最小限に抑えます。さらに、TO-252パッケージは電子設計に簡単に組み込むことができ、コンパクトなフォームファクタで汎用性と信頼性を提供します。RD3N03BATは、RoHSおよびハロゲンフリー規格にも準拠しており、環境に配慮した設計に適した選択肢となっています。

低オン抵抗により効率を向上し、熱管理を低減

コンパクトなTO-252パッケージで高出力を実現し、多用途に使用可能

RoHSおよびハロゲンフリーに準拠し、現代の電子機器の環境安全性を保証

RgおよびUISを含む広範なテストにより、信頼性の高い動作と性能を保証

-55～+150°Cの広い動作温度範囲で、さまざまな環境条件に対応

信頼性の高いアバランシェエネルギー定格で設計され、過渡条件下での安全性を向上

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