ローム シングルMOSFET, タイプNチャンネル 800 V エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-247, R8011KNZ4C13

N
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計:*

¥1,582.00

(税抜)

¥1,740.20

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年1月19日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
2 - 18¥791.00¥1,582
20 - 98¥696.50¥1,393
100 - 198¥625.50¥1,251
200 +¥492.50¥985

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
687-457
メーカー型番:
R8011KNZ4C13
メーカー/ブランド名:
ローム
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

ローム

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

シリーズ

R8011KNZ4

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.45Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

37nC

最大許容損失Pd

139W

動作温度 Max

150°C

高さ

5.22mm

長さ

40mm

16.24 mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

ロームのパワーMOSFETは、さまざまな用途で卓越した効率と信頼性を発揮するように設計されています。定格電圧800V、最大連続ドレイン電流11Aのこのコンポーネントは、過酷な環境でも優れた性能を発揮します。高速スイッチング用に設計され、わずか 0.45Ω の低オン抵抗を備え、電力損失を低減し、効率的な熱管理を可能にします。その堅牢な構造は、RoHSを含む環境基準への準拠を保証し、サステナビリティと性能を優先する現代の電子設計にとって実用的な選択肢となっています。

低オン抵抗により、効率的な電力供給を実現

高速スイッチング機能により、高速用途での性能を最適化

堅牢な構造で並列使用に対応し、設計の柔軟性を向上

RoHS基準に準拠し、環境に優しい設計に貢献

-55~+150°Cの広い動作温度範囲により、過酷な条件下でも信頼性を保証

熱抵抗定格により、コンパクトな設計で優れた熱管理を実現

効果的なゲート充電特性により、既存回路への統合が容易

産業、自動車、民生用電子機器分野における多用途用途

関連ページ