Infineon パワーMOSFET, N チャネルチャンネル 30 V, 125 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージPG-TO263-3, IPB018N03LF2SATMA1

N

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RS品番:
762-987
メーカー型番:
IPB018N03LF2SATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

125A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

StrongIRFET

パッケージ型式

PG-TO263-3

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

46nC

順方向電圧 Vf

1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

最大許容損失Pd

167W

動作温度 Max

175°C

長さ

15.88mm

高さ

4.83mm

幅

10.67mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
Infineon StrongIRFET 2パワートランジスタは、30 VのNチャンネルMOSFETで、さまざまな用途に適しています。極端な条件下でも動作し、最高定格温度は175°Cで、環境規制に適合しています。

100% アバランシェ試験済み

鉛フリー鉛めっき

RoHS準拠

IEC61249-2-21に準拠したハロゲンフリー

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