Infineon パワーMOSFET, N チャネルチャンネル 30 V, 125 A エンハンスメント型, 表面実装, 3-Pin パッケージPG-TO263-3, IPB018N03LF2SATMA1
- RS品番:
- 762-987
- メーカー型番:
- IPB018N03LF2SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
N
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- RS品番:
- 762-987
- メーカー型番:
- IPB018N03LF2SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N チャネル | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 125A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | PG-TO263-3 | |
| シリーズ | StrongIRFET | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 46nC | |
| 最大許容損失Pd | 167W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 4.83mm | |
| 長さ | 15.88mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N チャネル | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 125A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 PG-TO263-3 | ||
シリーズ StrongIRFET | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 46nC | ||
最大許容損失Pd 167W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 4.83mm | ||
長さ 15.88mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
Infineon StrongIRFET 2パワートランジスタは、30 VのNチャンネルMOSFETで、さまざまな用途に適しています。極端な条件下でも動作し、最高定格温度は175°Cで、環境規制に適合しています。
100% アバランシェ試験済み
鉛フリー鉛めっき
RoHS準拠
IEC61249-2-21に準拠したハロゲンフリー
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